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楊少延

中國(guó)科學(xué)院半導(dǎo)體研究所

研究員

專(zhuān)業(yè)能力信息

職稱(chēng)

研究領(lǐng)域 半導(dǎo)體材料科學(xué);寬禁帶和超寬禁帶半導(dǎo)體低材料、器件及物理研究;大失配異質(zhì)外延襯底制備技術(shù)研究;新型半導(dǎo)體光電器件設(shè)計(jì)制備技術(shù)研究

專(zhuān)利論文 代表性論文及專(zhuān)利：? 1.楊少延等，中國(guó)發(fā)明專(zhuān)利：氮化鋁單晶材料制備方法，專(zhuān)利號(hào)：201210332652.6，申請(qǐng)日: 2012.9.10? 2.王建霞，楊少延等,?中國(guó)發(fā)明專(zhuān)利：一種在藍(lán)寶石襯底上生長(zhǎng)自剝離氮化鎵薄膜的方法,?專(zhuān)利號(hào)：201210325765.3，申請(qǐng)日: 2012.9.5? 3.趙桂娟，楊少延等,?中國(guó)發(fā)明專(zhuān)利：制備非極性A面GaN薄膜的方法，專(zhuān)利號(hào)：201210313725.7，申請(qǐng)日: 2012.8.29? 4.張志成，楊少延等，中國(guó)發(fā)明專(zhuān)利：一種氫致解耦合的異質(zhì)外延用柔性襯底，專(zhuān)利號(hào)：ZL03155388.5，申請(qǐng)日期：2003.08.28，授權(quán)公告日：2007.10.24? 5.楊少延等，中國(guó)發(fā)明專(zhuān)利：低能氧離子束輔助脈沖激光沉積氧化物薄膜的方法，專(zhuān)利號(hào):ZL200410044605.7，申請(qǐng)日: 2004.5.14,授權(quán)日：2007.8.15?? 6.楊少延等，中國(guó)發(fā)明專(zhuān)利：一種制備二元稀土化合物薄膜材料的方法，專(zhuān)利號(hào)：ZL200410101884.6，申請(qǐng)日: 2004.12.30,?授權(quán)日：2008.10.8? 7.楊少延等，中國(guó)發(fā)明專(zhuān)利:利用可協(xié)變襯底制備生長(zhǎng)氧化鋅薄膜材料的方法，專(zhuān)利號(hào)：ZL200610003072.7，申請(qǐng)日: 2006.2.8?，授權(quán)日：2008.10.8? 8.楊少延等，中國(guó)發(fā)明專(zhuān)利：一種用于氧化鋅外延薄膜生長(zhǎng)的硅基可協(xié)變襯底材料，專(zhuān)利號(hào)：ZL200610169750.7，申請(qǐng)日: 2006.12.28，授權(quán)日：2009.9.30? 9.楊少延等，中國(guó)發(fā)明專(zhuān)利:?一種生長(zhǎng)氧化鋅薄膜的裝置及方法，專(zhuān)利號(hào)：ZL200610169751.1，申請(qǐng)日: 2006.12.28，授權(quán)日：2010.2.17? 10.郭嚴(yán)等，發(fā)明專(zhuān)利：一種生長(zhǎng)高質(zhì)量富In組分InGaN薄膜材料的方法，專(zhuān)利號(hào)：201010157637.3，申請(qǐng)日：2010.4.21，授權(quán)日：2011.10.5? 11.楊少延，邀請(qǐng)報(bào)告：硅襯底氮化鎵材料發(fā)展節(jié)能新技術(shù)的機(jī)遇與挑戰(zhàn)，2013年第十二屆國(guó)際真空展覽會(huì)真空學(xué)術(shù)論壇，2013年5月15-16日，地點(diǎn)：國(guó)家會(huì)議中心，主辦單位：中國(guó)真空學(xué)會(huì)，北京真空學(xué)會(huì)。? 12.Xiaoqing Xu, Yang Li, Jianming Liu, Hongyuan Wei, Xianglin Liu, Shaoyan Yang*, Zhanguo Wang, Huanhua Wang , X-ray probe of GaN thin films grown on InGaN compliant substrates, Appl. Phys. Lett., 102, 132104 (2013)? 13.Changbo Liu, Guijuan Zhao, Guipeng Liu, Yafeng Song, Heng Zhang, Dongdong Jin, Zhiwei Li, Xianglin Liu, Shaoyan Yang*, Qinsheng Zhu, Zhanguo Wang, Scattering due to large cluster embedded in quantum wells, Appl. Phys. Lett. 102, 052105 (2013)?? 14.Changbo Liu, Shaoyan Yang*, Kai Shi, Guipeng Liu, Heng Zhang, Dongdong Jin, Chengyan Gu, Guijuan Zhao, Ling Sang, Xianglin Liu, Qinsheng Zhu, Zhanguo Wang, Two dimensional electron gas mobility limited by scattering of quantum dots with indium composition transition region in quantum wells, Physica E: Low-dimensional Systems and Nanostructures, 52，150-154（2013）? 15.Guipeng Liu, Ju Wu, Guijuan Zhao, Shuman Liu, Wei Mao, Yue Hao, Changbo Liu, Shaoyan Yang, Xianglin Liu, Qinsheng Zhu, and Zhanguo Wang, Impact of the misfit dislocations on two-dimensional electron gas mobility in semi-polar AlGaN/GaN heterostructures,Appl. Phys. Lett. 100, 082101 (2012)? 16.Li, Huijie; Liu, Xianglin; Wang, Jianxia; Jin, Dongdong; Zhang, Heng; Yang, Shaoyan; Liu, Shuman; Mao, Wei; Hao, Yue; Zhu, Qinsheng; Wang, Zhanguo，Calculation of discrepancies in measured valence band offsets of heterojunctions with different crystal polarities，Journal of Applied Physics, 112（113712）2012? 17.Liu, G.? Wu, J.? Lu, Y.? Zhang, B.? Li, C.? Sang, L.? Song, Y.? Shi, K.? Liu, X.? Yang, S*.? Zhu, Q.? Wang, Z.，A theoretical calculation of the impact of GaN cap and AlxGa1-xN barrier thickness fluctuations on two-dimensional electron gas in GaN/AlxGa1-xN/GaN heterostructure，IEEE Transactions on Electron Devices, 58(12), 4272( 2011)? 18.Xiaoqing Xu,Yan Guo,Xianglin Liu,Jianmin Liu,Huaping Song,Biao Zhang,JunWang,Shaoyan Yang,Hongyuan Wei,Qinsheng Zhu,Zhanguo Wang,’?GaN grown with InGaN as a weakly bonded layer’, ?CrystEngComm 13,1580(2011)

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