隨著半導(dǎo)體照明產(chǎn)業(yè)的迅猛發(fā)展以及LED技術(shù)及產(chǎn)品的廣泛應(yīng)用，支撐LED光電器件的核心材料氮化鎵(GaN)以及碳化硅(SiC)等寬禁帶化合物為代表的第三代半導(dǎo)體材料技術(shù)及應(yīng)用正在成為全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)新的戰(zhàn)略高地。
半導(dǎo)體照明是第三代半導(dǎo)體技術(shù)所實(shí)現(xiàn)的第一個突破口，如今LED發(fā)光技術(shù)的進(jìn)步現(xiàn)已突破傳統(tǒng)的照明概念，并已開拓、發(fā)展LED發(fā)光新技術(shù)領(lǐng)域。沿長波方向，已從藍(lán)光拓寬到綠光、黃光、紅光，發(fā)展“超越照明”，開拓在生物、農(nóng)業(yè)、醫(yī)療、保健、航空、航天和通信等領(lǐng)域應(yīng)用;沿短波方向，現(xiàn)已發(fā)展高效節(jié)能、環(huán)境友好、智能化的“紫光光源”，期望逐步取代電真空紫外光源，引領(lǐng)紫外技術(shù)的變革，開拓紫光應(yīng)用廣闊領(lǐng)域。
有數(shù)據(jù)顯示，紫外線LED應(yīng)用于光固化市場產(chǎn)值2021年將達(dá)1.95億美元， 2020年紫外線LED光固化模組的滲透率將來到50~60%。紫外LED殺菌與凈化應(yīng)用的市場產(chǎn)值2021年將達(dá)2.57億美元。應(yīng)用的發(fā)展離不開技術(shù)的支撐，第三代半導(dǎo)體又將如何擁抱固態(tài)紫外市場？
2016年11月15日至17日，第十三屆中國國際半導(dǎo)體照明論壇（SSLCHINA2016）將在北京國際會議中心召開，并將與2016中國(北京)跨國技術(shù)轉(zhuǎn)移大會暨第三代半導(dǎo)體國際論壇（以下簡稱“跨國技術(shù)轉(zhuǎn)移大會”）同期同地舉行。此次跨國技術(shù)轉(zhuǎn)移大會，由中國科技部與北京市人民政府主辦，將覆蓋眾多科技、產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新熱點(diǎn)領(lǐng)域。其中，大會圍繞第三代半導(dǎo)體的前沿發(fā)展和技術(shù)應(yīng)用設(shè)置了包括第三代半導(dǎo)體與固態(tài)紫外器件、碳化硅電力電子器件、氮化鎵及其它新型寬禁帶半導(dǎo)體電力電子器件技術(shù)等多個專場分會重點(diǎn)討論。
為了360度全方位保證分會的高水準(zhǔn)，分會采用召集人+主席+分會團(tuán)的模式，兼顧產(chǎn)學(xué)研，每一環(huán)節(jié)都有超強(qiáng)專家的鼎力支持。目前第三代半導(dǎo)體與固態(tài)紫外器件分會陣型漸露，看點(diǎn)十足。
分會召集人由中科院蘇州納米所研究員、博士生導(dǎo)師、納米測試中心主任，蘇州納維科技有限公司董事長，中組部國家千人計(jì)劃、國家杰出青年基金獲得者徐科和中科院半導(dǎo)體研究所所長助理、研究員張韻擔(dān)任。
徐科長期圍繞高質(zhì)量氮化物半導(dǎo)體材料生長及相關(guān)生長裝備和測試分析儀器的研究與研發(fā)。對氮化物半導(dǎo)體的MOCVD和MBE生長機(jī)理、氮化物的極性選擇、極性控制有系統(tǒng)深入研究，闡明了極性對氮化銦(InN)生長的特殊影響；近年來重點(diǎn)開展極低位錯密度GaN和AlN單晶材料的氫化物氣相外延(HVPE)生長研究，完成2～4英寸氮化鎵單晶襯底技術(shù)開發(fā)，并實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)；開展了納米尺度空間分辨的綜合光電測試技術(shù)與裝備研制，研究了氮化物材料中單個缺陷并探索氮化物低維結(jié)構(gòu)的新奇物性。發(fā)表SCI論文80余篇，申請專利50項(xiàng)，國際會議特邀報(bào)告20余次?，F(xiàn)任科技部新材料領(lǐng)域納米主題專家，國家納米技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)委員會委員，中國電子學(xué)會高級會員、電子材料分會副主任委員，光學(xué)學(xué)會光學(xué)材料委員會委員。
張韻曾在美國高平（Kopin）半導(dǎo)體公司III-V部門從事研發(fā)工作，具備多年GaN、GaAs基器件的設(shè)計(jì)、制造工藝及器件物理分析經(jīng)驗(yàn)。2006年至2010年，參與完成與美國國防部先進(jìn)研究項(xiàng)目局（DARPA）在深紫外光電探測器領(lǐng)域的項(xiàng)目“Deep Ultraviolet Avalanche Photodetectors(DUVAP)”， 及DARPA部署在可見光波段激光器領(lǐng)域的項(xiàng)目“Visible In GaN Injection Lasers(VIGIL)”。在光電子器件領(lǐng)域取得了豐碩成果的同時，在GaN基大功率電子器件方面也有豐富的經(jīng)驗(yàn)和世界領(lǐng)先的成果。
分會外方主席由美國佐治亞理工學(xué)院教授Russell Dupuis擔(dān)任，他于1977年開發(fā)并完善了金屬有機(jī)化學(xué)氣相沉積（MOCVD）過程，使高亮度LED實(shí)現(xiàn)生產(chǎn)，并且為現(xiàn)在高亮度LED、激光二極管、太陽能電池、高速光電設(shè)備的生產(chǎn)奠定了基礎(chǔ)。由于其LED行業(yè)的杰出貢獻(xiàn)，他于2015年被美國國家工程院授予查爾斯·斯塔克·德雷珀獎。
除了重量級的分會外方主席與召集人，分會力邀多位國內(nèi)外的權(quán)威專家組成分會委員團(tuán)，共同坐鎮(zhèn)，為分會提供最堅(jiān)實(shí)的支持。
其中，分會成員劉國旭，易美芯光（北京）科技有限公司執(zhí)行副總裁，首席技術(shù)官，國家千人計(jì)劃創(chuàng)新類人才。劉國旭曾先后就職于美國通用汽車電子部， 英特爾， 朗訊貝爾實(shí)驗(yàn)室（Bell Lab）， 北方電訊（Nortel），Luminus等多家國際知名企業(yè)，擔(dān)任技術(shù)總監(jiān)等職務(wù)，2009年回國聯(lián)合創(chuàng)立了易美芯光。劉國旭在封裝設(shè)計(jì)、工藝研發(fā)、系統(tǒng)集成及可靠性分析具有豐富的經(jīng)驗(yàn)，參與并主持了多項(xiàng)具有重大影響的研發(fā)項(xiàng)目，多次受邀在知名的國際會議上發(fā)表演講，曾獲得權(quán)威學(xué)術(shù)會議優(yōu)秀論文獎。他同時是國家科技部“863計(jì)劃”半導(dǎo)體照明工程專家組成員，在國際知名雜志及學(xué)術(shù)會議上發(fā)表過40余篇專業(yè)論文, 并擁有30余項(xiàng)美國及中國專利。
分會委員陸海，南京大學(xué)教授，兼任南京微結(jié)構(gòu)國家實(shí)驗(yàn)室（籌）主任研究員（PI），他師從美國工程院院士Lester Eastman教授，曾受聘于美國通用電氣公司（GE）研發(fā)中心任高級研究員。陸海主要從事寬禁帶半導(dǎo)體材料和器件研究，獲得多項(xiàng)有影響力的成果。近年來重點(diǎn)開展GaN基高功率電子器件、深紫外探測器件、及新型氧化物透明薄膜晶體管研究。已發(fā)表學(xué)術(shù)論文兩百余篇，其中包括SCI論文180余篇。2007年入選教育部新世紀(jì)人才支持計(jì)劃；2008年獲得國家杰出青年科學(xué)基金資助；2012年入選教育部長江學(xué)者特聘教授。
本次分會邀請?jiān)O(shè)置了眾多精彩報(bào)告，其中，分會外方主席、美國佐治亞理工學(xué)院教授Russell Dupuis，分會委員、南京大學(xué)教授陸海將聯(lián)袂眾多專家做特邀報(bào)告，全方位分享固態(tài)紫外器件方方面面的研究成果。
中科院半導(dǎo)體所研究員，博士生導(dǎo)師王軍喜將帶來與固態(tài)紫外器件相關(guān)的研究成果分享，王軍喜主要研究方向?yàn)榘雽?dǎo)體照明氮化鎵外延芯片材料生長研究及新型LED器件應(yīng)用研究。在國內(nèi)外高質(zhì)量學(xué)術(shù)期刊上發(fā)表研究論文百余篇。在固態(tài)紫外器件領(lǐng)域，他及團(tuán)隊(duì)有著多年的研究積累，
臺灣交通大學(xué)特聘教授郭浩中將帶來其最新成果，郭浩中在在III-V光學(xué)設(shè)備/材料（砷化鎵，磷化銦，氮化鎵）有超過20年的研究經(jīng)驗(yàn)。他發(fā)表過論文300余篇（6611總引用和38的H因子）。他曾擔(dān)任2015年美國電子電氣工程師協(xié)會(IEEE)會士，2012年美國光學(xué)學(xué)會(OSA)會士，2013年國際光學(xué)工程學(xué)會(SPIE)院士，2012年英國工程技術(shù)學(xué)會(IET)會士。
同時，北京大學(xué)教授王新強(qiáng)、青島杰生電氣有限公司技術(shù)總監(jiān)武帥等眾多來自產(chǎn)學(xué)研不同環(huán)節(jié)的精英嘉賓將從不同的角度分享固態(tài)紫外器件的最新研究成果。
第三代半導(dǎo)體材料所具有的獨(dú)特性能，有望在這些領(lǐng)域突破傳統(tǒng)半導(dǎo)體技術(shù)的發(fā)展瓶頸，開拓新技術(shù)應(yīng)用, 包括諸如基于第三代半導(dǎo)體材料的LED、LD發(fā)光技術(shù)、功率電子技術(shù)、微波功率技術(shù)、TFT技術(shù)、紫外探測技術(shù)和 MEMS與傳感技術(shù)等，技術(shù)發(fā)展大勢及廣闊的市場空間注定了其重要性和地位。欲把握第三代半導(dǎo)體的發(fā)展大勢與機(jī)遇，我們11月15日，北京見！
參會報(bào)名、參會聯(lián)系人
張女士
T：8610-82387380
M：13681329411
E：zhangww@china-led.net
賈先生
T：8610-82387430
M：18310277858
E：jiaxl@china-led.net
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