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氮化物新型半導(dǎo)體器件
編號(hào)： A021507
名稱： 氮化物新型半導(dǎo)體器件
領(lǐng)域： 材料科學(xué)
成果形式：
投資額： 面議萬(wàn)
案例數(shù)：
技術(shù)階段： 小批量階段
合作方式： 技術(shù)轉(zhuǎn)讓,技術(shù)入股,技術(shù)許可,其他

方案詳述

本項(xiàng)目的目標(biāo)產(chǎn)品為600V—900V GaN功率器件。這是一種新型的半導(dǎo)體開關(guān)器件，其特點(diǎn)是體積小、效率高、性能穩(wěn)定、壽命長(zhǎng)。同時(shí)，其擊穿電壓、導(dǎo)通電阻、工作溫度和開關(guān)速度等主要參數(shù)指標(biāo)比目前市場(chǎng)上常見(jiàn)的硅基器件有明顯的提高，電力轉(zhuǎn)換效率普遍提升2～7%，使電力系統(tǒng)體積減少1/3以上，可以廣泛應(yīng)用于消費(fèi)電子、汽車電子、工業(yè)控制和太陽(yáng)能光伏等應(yīng)用領(lǐng)域，以更高的電能轉(zhuǎn)化效率、更少的設(shè)備耗材為客戶創(chuàng)造價(jià)值。

技術(shù)優(yōu)勢(shì)

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