自成立以來，姑蘇實驗室瞄準國家實驗室的目標(biāo)，不斷探索體制機制創(chuàng)新，加快人才集聚，推動項目啟動實施，以蘇州產(chǎn)業(yè)融通創(chuàng)新的實踐者、創(chuàng)新資源要素的整合者、科技體制改革的先行者為使命，創(chuàng)新體制機制、集聚高端資源，聚焦工程化、產(chǎn)業(yè)化，著力把姑蘇實驗室打造成為省市科技創(chuàng)新體系的重要力量、服務(wù)國家戰(zhàn)略科技力量的重要支撐、賦能蘇州產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新集群發(fā)展的重要平臺。姑蘇實驗室兼顧“頂天”和“立地”融合發(fā)展，一方面瞄準世界和國家材料科學(xué)領(lǐng)域前沿的重大科學(xué)問題，致力于基礎(chǔ)研究和應(yīng)用基礎(chǔ)研究，實現(xiàn)原始創(chuàng)新和戰(zhàn)略技術(shù)突破并形成自主知識產(chǎn)權(quán)；另一方面，面向國民經(jīng)濟主戰(zhàn)場和地方制造業(yè)發(fā)展重大需求，突破核心關(guān)鍵共性技術(shù)，推動產(chǎn)業(yè)升級。圍繞電子信息、先進材料、裝備制造等領(lǐng)域，服務(wù)保障國家戰(zhàn)略科技力量建設(shè)，協(xié)同聯(lián)動第三代半導(dǎo)體國創(chuàng)中心等重大平臺，支撐推動蘇州產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新集群發(fā)展，集聚高端人才團隊，承擔(dān)重大科技項目，搭建專業(yè)技術(shù)研發(fā)平臺，推進科技成果轉(zhuǎn)化。力爭至2025年，產(chǎn)出一批標(biāo)志性科研成果，培育一批科技型領(lǐng)軍企業(yè)，打造一批高水平創(chuàng)新聯(lián)合體，形成一批體制機制創(chuàng)新經(jīng)驗。
（一）協(xié)同支撐國家戰(zhàn)略科技力量建設(shè)。
（二）賦能蘇州產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新集群建設(shè)。
（三）發(fā)揮省實驗室創(chuàng)新平臺功能。
高感知材料數(shù)據(jù)庫融合計算材料學(xué)、高通量計算、人工智能，匯聚海量材料數(shù)據(jù)并提煉價值形成具有行業(yè)應(yīng)用示范功能的材料數(shù)據(jù)平臺。傳統(tǒng)的計算材料學(xué)數(shù)據(jù)庫功能局限于檢索，而項目數(shù)據(jù)庫在AI、大數(shù)據(jù)等新技術(shù)賦能下，能力圈大幅擴展，能提供新材料理化性能在線預(yù)測、虛擬篩選、晶體結(jié)構(gòu)預(yù)測（CSP）、研究趨勢分析等功能。項目數(shù)據(jù)庫將面向高校、研究院所以及工業(yè)界用戶提供所需材料數(shù)據(jù)及相關(guān)服務(wù)，應(yīng)用于半導(dǎo)體材料及器件設(shè)計、新興電子材料設(shè)計、鋰電材料設(shè)計、精細化工材料設(shè)計、合金金屬材料設(shè)計等領(lǐng)域。本項目以電子信息材料數(shù)據(jù)庫為核心方向，以領(lǐng)先的材料設(shè)計與工藝仿真軟件技術(shù)為支撐，融合計算材料學(xué)、高通量計算、人工智能，匯聚海量材料數(shù)據(jù)并提煉價值形成具有行業(yè)應(yīng)用示范功能的材料數(shù)據(jù)平臺，將會是未來面向集成電路先進制造和卡脖子技術(shù)的有力支撐。
G2106新型探測器用半導(dǎo)體材料碲化鎘晶圓光子計數(shù)X射線探測技術(shù)具有零暗噪聲、高空間分辨率、高動態(tài)范圍、高線性度、可實現(xiàn)能量分辨等諸多優(yōu)勢，該技術(shù)可以廣泛應(yīng)用在對性能要求較高的X射線成像領(lǐng)域，是公認的下一代X射線成像技術(shù)。碲化鎘晶體可以在室溫狀態(tài)下直接將X射線和γ射線轉(zhuǎn)變?yōu)殡娮?，是迄今為止制造室溫X射線及γ射線探測器最為理想的半導(dǎo)體材料。本項目的開展將解決室溫X射線及γ射線碲化鎘探測器產(chǎn)業(yè)化核心關(guān)鍵材料問題，避免被國外企業(yè)“卡脖子”，將為我國開發(fā)具有獨立自主知識產(chǎn)權(quán)的光子計數(shù)能譜CT、超低劑量光子計數(shù)DSA血管造影等高端醫(yī)療檢測設(shè)備，背散射無損探傷系統(tǒng)，帶核素分析便攜輻射探測器，重金屬檢測儀等重要工業(yè)和民用設(shè)備創(chuàng)造必要條件，進一步推動碲化鎘材料和光子計數(shù)技術(shù)的發(fā)展創(chuàng)新，對促進我國高端X光醫(yī)療影像設(shè)備、安檢、工業(yè)無損檢測、環(huán)境監(jiān)測、安全檢查、核科學(xué)與技術(shù)、天文觀測以及高能物理等領(lǐng)域的快速發(fā)展具有很好的推動作用。
G2109面向下一代全彩顯示的氮化物紅光Micro-LED
Micro-LED自發(fā)光顯示是實現(xiàn)全彩LED超清顯示的核心技術(shù)路線之一，具有低能耗、壽命長、色彩飽和度高等優(yōu)點。目前，各國均大力攻關(guān)RGB全彩Micro-LED在芯片制作、規(guī)?；D(zhuǎn)移等領(lǐng)域的技術(shù)瓶頸，以滿足先進顯示產(chǎn)業(yè)的迫切需求。
本項目立足于半導(dǎo)體照明顯示產(chǎn)業(yè)需求，瞄準Micro-LED新型顯示技術(shù)，致力于解決氮化物Micro-LED顯示技術(shù)在材料質(zhì)量、器件工藝等方面存在的關(guān)鍵科學(xué)技術(shù)問題。提出InGaN紅光材料的新型MOCVD技術(shù)，開展InGaN藍光LED結(jié)合紅光量子點色轉(zhuǎn)換技術(shù)的研究，兩條技術(shù)路線并重共同促進氮化物全彩顯示技術(shù)的突破與發(fā)展，解決氮化物紅光LED制備難題，優(yōu)化Micro-LED元器件制備工藝，研發(fā)出低功耗、高性能的氮化物紅光Micro-LED元器件，并培養(yǎng)一支具備“設(shè)備-材料-元器件”全鏈條研究能力的人才團隊。
隨著國內(nèi)外集成電路的制程變化，石英及硅部件逐漸無法滿足需求，碳化硅部件作為新一代半導(dǎo)體材料閃亮登場，在高制程蝕刻、RTP及CVD工藝領(lǐng)域有著非常廣闊的應(yīng)用前景，有望成為前沿下一代集成電路芯片成功量產(chǎn)和良率保證的重要利器之一。
本項目旨在突破300mm集成電路前沿下一代超大尺寸碳化硅核心部件材料國產(chǎn)化“卡脖子”問題，目標(biāo)是完成先進的超大尺寸碳化硅部件材料的全套技術(shù)研發(fā)工作和用于碳化硅部件生長的核心裝備研制，實現(xiàn)蘇州、江蘇乃至全國零的突破。碳化硅部件質(zhì)量達到國際先進水平，實現(xiàn)進口替代，加速我國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)崛起進程。
2024國際新材料展 姑蘇實驗室展臺
位于深圳國際會展中心（寶安新館）
11號館 展位
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